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This  unique free application is for all students across the world. It covers 141 topics of Fundamentals of Electronics Devices in detail. These 141 topics are divided in 5 units.

Each topic is around 600 words and is complete with diagrams, equations and other forms of graphical representations along with simple text explaining the concept in detail.

This USP of this application is "ultra-portability". Students can access the content on-the-go from anywhere they like.

Basically, each topic is like a detailed flash card and will make the lives of students simpler and easier.

Some of topics Covered in this application are:

1.	Transient and a-c conditions: time variation of stored charge

2.	Photodiode

3.	P-N-P-N diode

4.	Semiconductor Controlled Rectifier

5.	Light Emitting Diode

6.	Tunnel Diode

7.	TRIAC

8.	DIAC

9.	Insulated Gate Bipolar Transistor

10.	GUNN diode- Basic Principle

11.	GUNN diode-The Transferred Electron Mechanism

12.	PNPN diode- Forward Blocking & conducting mode

13.	Solar Cell- Working Principle

14.	Solar Cell- I-V Characterstics

15.	Rectifiers

16.	The Breakdown Diode

17.	Photodetectors

18.	Photodiode Equations

19.	 PIN PHOTODIODE

20.	Avalanche Photodiode

21.	Light Emitting Materials

22.	IMPATT diode

23.	IMPATT diode operation

24.	Semiconductor lasers

25.	Semiconductor lasers- Under forward biased

26.	Heterojunction Lasers Operation

27.	Metal semiconductor field effect transistors (MESFET)

28.	MESFET- The High Electron Mobility Transistor (HEMT)

29.	The Metal Insulator Semiconductor FET (MISFET)

30.	MISFET under different operating condition

31.	The Ideal MOS Capacitor

32.	MOSFET: Effects of Real Surfaces

33.	MOSFET: Interface Charge

34.	MOSFET: Threshold Voltage

35.	MOS Capacitance Voltage Analysis

36.	MOSFET: Time-Dependent Capacitance Measurements 

37.	Current-Voltage Characteristics of MOS Gate Oxides

38.	The MOSFET

39.	MOSFET: Output Characteristics

40.	Conductance and Transconductance of the MOSFET

41.	MOSFET: Transfer Characteristics

42.	MOSFET: Mobility Models

43.	MOSFET: Effective transverse field

44.	Short Channel MOSFET l-V Characteristics

45.	MOSFET: Control of Threshold Voltage

46.	MOSFET: Threshold Adjustment by Ion Implantation

47.	MOSFET: Substrate Bias Effects

48.	MOSFET: Sub threshold Characteristics

49.	Equivalent Circuit for the MOSFET

50.	MOSFET Scaling and Short channel effect

51.	MOSFET: Hot carrier effects

52.	MOSFET: Drain-Induced Barrier Lowering

53.	Short Channel Effect and Narrow Width Effect of MOSFET

54.	Gate-Induced Drain Leakage in MOSFET

55.	FUNDAMENTALS OF BJT OPERATION

56.	BJT: Summary of hole and electron flow in a transistor

57.	FUNDAMENTALS OF BJT OPERATION: PN junction

58.	AMPLIFICATION  WITH BJTS

59.	EQUILIBRIUM CONDITIONS: The Contact Potential

60.	Equilibrium Fermi Levels

61.	Space Charge at a Junction

62.	OPTICAL ABSORPTION

63.	OPTICAL ABSORPTION EXPERIMENT

64.	LUMINESCENCE

65.	Photoluminescence

66.	Carrier Lifetime And Photoconductivity: direct recombination

67.	Indirect Recombination: Trapping

68.	Steady State Carrier Generation: Quasi-Fermi Levels

69.	Photoconductive Devices

70.	DIFFUSION OF CARRIERS: Diffusion Processes

71.	Diffusion and Drift of Carriers: Built-in Fields

72.	The Einstein Relation

73.	The Continuity Equation

74.	Steady State Carrier Injection and Diffusion Length

75.	The Haynes-Shockley Experiment

76.	Gaussian distribution

77.	Gradients in the Quasi-Fermi Levels

78.	SEMICONDUCTOR MATERIALS

79.	CRYSTAL LATTICES: Periodic Structures

80.	Cubic Lattices Structures

81.	Planes and Directions: Miller indices

82.	The Diamond Lattice

83.	Bonding Forces in Solids

84.	Energy Bands

85.	Linear combinations of the individual atomic orbitals (LCAO)

86.	Metals, Semiconductors, and Insulators

87.	Direct and Indirect Semiconductors

88.	Variation of Energy Bands with Alloy Composition

89.	Charge Carriers In Semiconductors: Electrons and Holes

All topics are not listed because of character limitations set by the Play Store.이 독특한 무료 응용 프로그램은 전세계 모든 학생들을위한 것입니다. 그것은 세부 사항에있는 전자 장치의 기본의 141 주제를 다룹니다. 이 141 주제는 5 단위로 분할된다.

각 주제는 약 600 단어이고 상세하게 개념을 설명하는 간단한 텍스트와 함께 다이어그램, 방정식과 그래픽 표현의 다른 형태의 완전하다.

이 응용 프로그램의이 USP는 "매우 이식성"입니다. 학생들은 어디서나 그들이 원하는에서 온 이동 콘텐츠에 액세스 할 수 있습니다.

기본적으로, 각 항목에 대한 자세한 플래시 카드처럼 학생들의 생활을 간단하고 쉽게 할 것이다.

이 응용 프로그램에서 다루는 내용의 일부는 다음과 같습니다 :

. 1 과도와 AC 조건 : 저장된 전하의 시간 변화

2. 포토 다이오드

3. P-N-P-N 다이오드

4. 반도체 제어 정류기

오. 발광 다이오드

6. 터널 다이오드

7. TRIAC

8. DIAC

9. 절연 게이트 양극 트랜지스터

10. GUNN 다이오드 - 기본 원칙

11. GUNN 다이오드 - 전송 된 전자 기계

12. PNPN 다이오드 전달 차단 모드 및 실시

13. 태양 전지 - 작동 원리

14. 태양 전지-I-V 보임

15. 정류기

16. 고장 다이오드

17. 광 검출기

18. 포토 다이오드 방정식

19. PIN 포토 다이오드

20. 눈사태 포토 다이오드

21. 발광 재료

22. IMPATT 다이오드

23. IMPATT 다이오드 작동

24. 반도체 레이저

25. 반도체 레이저 언더 순방향 바이어스

26. 이종 접합 레이저 운영

27. 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MESFET)

28. MESFET - 높은 전자 이동 트랜지스터 (HEMT)

29. 금속 절연체 반도체 FET (MISFET)

다른 운영 조건 하에서 30. MISFET

31. 이상적인 MOS 커패시터

. 32 MOSFET : 실제 표면의 효과

33 MOSFET :. 인터페이스 충전

. 34 MOSFET 임계 값 전압

35. MOS 정전 용량 전압 분석

36 MOSFET :. 시간에 따른 정전 용량 측정

MOS 게이트 산화물의 37. 전류 - 전압 특성

38. MOSFET에게

39 MOSFET :. 출력 특성

MOSFET 40. 및 트랜스 컨덕턴스

41 MOSFET :. 전송 ​​특성

42 MOSFET :. 이동성 모델

43 MOSFET :. 효과적인 가로 필드

44. 짧은 채널 MOSFET L-V 특성

45 MOSFET :. 문턱 전압의 제어

. 46 MOSFET : 이온 주입에 의한 임계 값 조정

47 MOSFET :. 기판 바이어스 효과

. 48 MOSFET : 하위 임계 특성

MOSFET 49. 등가 회로

50. MOSFET의 스케일링과 짧은 채널 효과

. 51 MOSFET : 핫 캐리어 효과

52 MOSFET :. 절감 드레인 - 유도 장벽

53. 단 채널 효과와 MOSFET의 좁은 폭 효과

MOSFET에서 54. 게이트 - 유도 드레인 누설

BJT 동작 55. 대한 기초

56 BJT :. 트랜지스터의 구멍과 전자 흐름의 개요

. BJT 동작의 57 대한 기초 : PN 접합

BJT와 58. AMPLIFICATION

. 59 평형 조건 : 접촉 가능성

60. 평형 페르미 레벨

정크 션에서 61. 공간 충전

62. 광 흡수

63. 광 흡수 실험

64. 발광

65. 광 발광

. 66 캐리어 수명과 광전 : 직접 재결합

. 67 간접 재조합 : 트래핑

68 정상 상태 캐리어 세대 :. 준 페르미 레벨

69. 광전 장치

. 사업자의 70 확산 : 확산 과정

. 사업자의 71 확산 및 드리프트 : 내장 필드

72. 아인슈타인 관계

73. 연속 방정식

74. 정상 상태 캐리어 주입 및 확산 길이

75. 헤인즈 - 쇼클리 실험

76. 가우스 분포

준 페르미 레벨 77. 그라데이션

78. 반도체 재료

. 79 결정 격자 : 정기 구조

80. 입방 격자 구조에게

. 81 비행기와 방향 : 밀러 지수

82. 다이아몬드 격자

고체에서 83. 접착 힘

84. 에너지 밴드

개별 원자 궤도 함수 85. 선형 조합 (LCAO)

86. 금속, 반도체, 절연체

87. 직접 및 간접 반도체

합금 조성과 에너지 밴드 88. 변화

. 반도체의 89 충전 사업자 : 전자와 정공

모든 주제 때문에 플레이 스토어에 의해 설정된 문자 제한으로 나열되지 않습니다.

Basics of Electronic Devices 1

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