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Basics of Electronic Devices 1

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Basics of Electronic Devices 1의 설명

This unique free application is for all students across the world. It covers 141 topics of Fundamentals of Electronics Devices in detail. These 141 topics are divided in 5 units.


Each topic is around 600 words and is complete with diagrams, equations and other forms of graphical representations along with simple text explaining the concept in detail.


This USP of this application is "ultra-portability". Students can access the content on-the-go from anywhere they like.


Basically, each topic is like a detailed flash card and will make the lives of students simpler and easier.


Some of topics Covered in this application are:


1. Transient and a-c conditions: time variation of stored charge


2. Photodiode


3. P-N-P-N diode


4. Semiconductor Controlled Rectifier


5. Light Emitting Diode


6. Tunnel Diode


7. TRIAC


8. DIAC


9. Insulated Gate Bipolar Transistor


10. GUNN diode- Basic Principle


11. GUNN diode-The Transferred Electron Mechanism


12. PNPN diode- Forward Blocking & conducting mode


13. Solar Cell- Working Principle


14. Solar Cell- I-V Characterstics


15. Rectifiers


16. The Breakdown Diode


17. Photodetectors


18. Photodiode Equations


19. PIN PHOTODIODE


20. Avalanche Photodiode


21. Light Emitting Materials


22. IMPATT diode


23. IMPATT diode operation


24. Semiconductor lasers


25. Semiconductor lasers- Under forward biased


26. Heterojunction Lasers Operation


27. Metal semiconductor field effect transistors (MESFET)


28. MESFET- The High Electron Mobility Transistor (HEMT)


29. The Metal Insulator Semiconductor FET (MISFET)


30. MISFET under different operating condition


31. The Ideal MOS Capacitor


32. MOSFET: Effects of Real Surfaces


33. MOSFET: Interface Charge


34. MOSFET: Threshold Voltage


35. MOS Capacitance Voltage Analysis


36. MOSFET: Time-Dependent Capacitance Measurements


37. Current-Voltage Characteristics of MOS Gate Oxides


38. The MOSFET


39. MOSFET: Output Characteristics


40. Conductance and Transconductance of the MOSFET


41. MOSFET: Transfer Characteristics


42. MOSFET: Mobility Models


43. MOSFET: Effective transverse field


44. Short Channel MOSFET l-V Characteristics


45. MOSFET: Control of Threshold Voltage


46. MOSFET: Threshold Adjustment by Ion Implantation


47. MOSFET: Substrate Bias Effects


48. MOSFET: Sub threshold Characteristics


49. Equivalent Circuit for the MOSFET


50. MOSFET Scaling and Short channel effect


51. MOSFET: Hot carrier effects


52. MOSFET: Drain-Induced Barrier Lowering


53. Short Channel Effect and Narrow Width Effect of MOSFET


54. Gate-Induced Drain Leakage in MOSFET


55. FUNDAMENTALS OF BJT OPERATION


56. BJT: Summary of hole and electron flow in a transistor


57. FUNDAMENTALS OF BJT OPERATION: PN junction


58. AMPLIFICATION WITH BJTS


59. EQUILIBRIUM CONDITIONS: The Contact Potential


60. Equilibrium Fermi Levels


61. Space Charge at a Junction


62. OPTICAL ABSORPTION


63. OPTICAL ABSORPTION EXPERIMENT


64. LUMINESCENCE


65. Photoluminescence


66. Carrier Lifetime And Photoconductivity: direct recombination


67. Indirect Recombination: Trapping


68. Steady State Carrier Generation: Quasi-Fermi Levels


69. Photoconductive Devices


70. DIFFUSION OF CARRIERS: Diffusion Processes


71. Diffusion and Drift of Carriers: Built-in Fields


72. The Einstein Relation


73. The Continuity Equation


74. Steady State Carrier Injection and Diffusion Length


75. The Haynes-Shockley Experiment


76. Gaussian distribution


77. Gradients in the Quasi-Fermi Levels


78. SEMICONDUCTOR MATERIALS


79. CRYSTAL LATTICES: Periodic Structures


80. Cubic Lattices Structures


81. Planes and Directions: Miller indices


82. The Diamond Lattice


83. Bonding Forces in Solids


84. Energy Bands


85. Linear combinations of the individual atomic orbitals (LCAO)


86. Metals, Semiconductors, and Insulators


87. Direct and Indirect Semiconductors


88. Variation of Energy Bands with Alloy Composition


89. Charge Carriers In Semiconductors: Electrons and Holes


All topics are not listed because of character limitations set by the Play Store.이 독특한 무료 응용 프로그램은 전세계 모든 학생들을위한 것입니다. 그것은 세부 사항에있는 전자 장치의 기본의 141 주제를 다룹니다. 이 141 주제는 5 단위로 분할된다.


각 주제는 약 600 단어이고 상세하게 개념을 설명하는 간단한 텍스트와 함께 다이어그램, 방정식과 그래픽 표현의 다른 형태의 완전하다.


이 응용 프로그램의이 USP는 "매우 이식성"입니다. 학생들은 어디서나 그들이 원하는에서 온 이동 콘텐츠에 액세스 할 수 있습니다.


기본적으로, 각 항목에 대한 자세한 플래시 카드처럼 학생들의 생활을 간단하고 쉽게 할 것이다.


이 응용 프로그램에서 다루는 내용의 일부는 다음과 같습니다 :


. 1 과도와 AC 조건 : 저장된 전하의 시간 변화


2. 포토 다이오드


3. P-N-P-N 다이오드


4. 반도체 제어 정류기


오. 발광 다이오드


6. 터널 다이오드


7. TRIAC


8. DIAC


9. 절연 게이트 양극 트랜지스터


10. GUNN 다이오드 - 기본 원칙


11. GUNN 다이오드 - 전송 된 전자 기계


12. PNPN 다이오드 전달 차단 모드 및 실시


13. 태양 전지 - 작동 원리


14. 태양 전지-I-V 보임


15. 정류기


16. 고장 다이오드


17. 광 검출기


18. 포토 다이오드 방정식


19. PIN 포토 다이오드


20. 눈사태 포토 다이오드


21. 발광 재료


22. IMPATT 다이오드


23. IMPATT 다이오드 작동


24. 반도체 레이저


25. 반도체 레이저 언더 순방향 바이어스


26. 이종 접합 레이저 운영


27. 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MESFET)


28. MESFET - 높은 전자 이동 트랜지스터 (HEMT)


29. 금속 절연체 반도체 FET (MISFET)


다른 운영 조건 하에서 30. MISFET


31. 이상적인 MOS 커패시터


. 32 MOSFET : 실제 표면의 효과


33 MOSFET :. 인터페이스 충전


. 34 MOSFET 임계 값 전압


35. MOS 정전 용량 전압 분석


36 MOSFET :. 시간에 따른 정전 용량 측정


MOS 게이트 산화물의 37. 전류 - 전압 특성


38. MOSFET에게


39 MOSFET :. 출력 특성


MOSFET 40. 및 트랜스 컨덕턴스


41 MOSFET :. 전송 ​​특성


42 MOSFET :. 이동성 모델


43 MOSFET :. 효과적인 가로 필드


44. 짧은 채널 MOSFET L-V 특성


45 MOSFET :. 문턱 전압의 제어


. 46 MOSFET : 이온 주입에 의한 임계 값 조정


47 MOSFET :. 기판 바이어스 효과


. 48 MOSFET : 하위 임계 특성


MOSFET 49. 등가 회로


50. MOSFET의 스케일링과 짧은 채널 효과


. 51 MOSFET : 핫 캐리어 효과


52 MOSFET :. 절감 드레인 - 유도 장벽


53. 단 채널 효과와 MOSFET의 좁은 폭 효과


MOSFET에서 54. 게이트 - 유도 드레인 누설


BJT 동작 55. 대한 기초


56 BJT :. 트랜지스터의 구멍과 전자 흐름의 개요


. BJT 동작의 57 대한 기초 : PN 접합


BJT와 58. AMPLIFICATION


. 59 평형 조건 : 접촉 가능성


60. 평형 페르미 레벨


정크 션에서 61. 공간 충전


62. 광 흡수


63. 광 흡수 실험


64. 발광


65. 광 발광


. 66 캐리어 수명과 광전 : 직접 재결합


. 67 간접 재조합 : 트래핑


68 정상 상태 캐리어 세대 :. 준 페르미 레벨


69. 광전 장치


. 사업자의 70 확산 : 확산 과정


. 사업자의 71 확산 및 드리프트 : 내장 필드


72. 아인슈타인 관계


73. 연속 방정식


74. 정상 상태 캐리어 주입 및 확산 길이


75. 헤인즈 - 쇼클리 실험


76. 가우스 분포


준 페르미 레벨 77. 그라데이션


78. 반도체 재료


. 79 결정 격자 : 정기 구조


80. 입방 격자 구조에게


. 81 비행기와 방향 : 밀러 지수


82. 다이아몬드 격자


고체에서 83. 접착 힘


84. 에너지 밴드


개별 원자 궤도 함수 85. 선형 조합 (LCAO)


86. 금속, 반도체, 절연체


87. 직접 및 간접 반도체


합금 조성과 에너지 밴드 88. 변화


. 반도체의 89 충전 사업자 : 전자와 정공


모든 주제 때문에 플레이 스토어에 의해 설정된 문자 제한으로 나열되지 않습니다.

Basics of Electronic Devices 1 - 버전 7

(06-02-2020)
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Basics of Electronic Devices 1 - APK 정보

APK 버전: 7패키지: com.faadooengineers.free_basicsofelectronicdevices
안드로이드 호환: 4.0.1 - 4.0.2+ (Ice Cream Sandwich)
개발자:faadooengineers.com개인정보보호정책:http://www.engineeringapps.net/pages/privacy-policy권한:22
이름: Basics of Electronic Devices 1크기: 8.5 MB다운로드: 271버전 : 7출시 날짜: 2020-02-06 14:22:54최소 스크린: SMALL지원되는 CPU: arm64-v8a
패키지 ID: com.faadooengineers.free_basicsofelectronicdevicesSHA1 서명: 84:DC:3C:2A:70:41:E1:AC:0B:A9:26:A7:57:D4:4C:D6:76:A6:32:1F개발자 (CN): faadoo_android단체 (O): 로컬 (L): 나라 (C): 주/시 (ST): 패키지 ID: com.faadooengineers.free_basicsofelectronicdevicesSHA1 서명: 84:DC:3C:2A:70:41:E1:AC:0B:A9:26:A7:57:D4:4C:D6:76:A6:32:1F개발자 (CN): faadoo_android단체 (O): 로컬 (L): 나라 (C): 주/시 (ST):

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